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報告人：陳端陽（紅外材料、2020屆博士畢業生、留所工作）導師：齊紅基研究員
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報告題目：KDP類晶體的快速生長與設計
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報告時間：2020年11月11日下午14:00
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報告地點：1號樓羲和廳（原多功能廳）
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圍繞國家重大專項對光學元器件的迫切需求，以解決高功率激光驅動器急需的大尺寸DKDP晶體生長技術為研究對象，針對快速生長DKDP晶體中存在的柱錐交界面問題，創新性的提出無柱錐交界面的DKDP晶體快速生長方法，成功生長出大口徑無柱錐交界面的DKDP晶體，為國際高功率激光裝置所需的DKDP晶體生長提供了新方案，并通過精密熱退火進一步提升了晶體的性能。報告的最后，結合自身的科研情況，給研究內容偏工程類的師弟師妹們提出了一些建議。
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個人學習經歷：
2010.09-2014.06 中國計量大學 學士學位
2015.09-2016.06 中國科學技術大學 (代培)
2016.08-2020.06 中國科學院上海光學精密機械研究所 博士學位
獲獎情況：
2017-2018學年 中國科學院大學三好學生
2020年 上海光機所正榮獎學金
2020年 中國科學院大學朱李月華優秀博士生獎
2020年 上海市優秀畢業生
代表性論文：
1. Duanyang Chen, et al, "Investigation of the pyramid–prism boundary of a rapidly grown KDP crystal," CrystEngComm. 21(2019);
2. Duanyang Chen, et al, "Rapid Growth of a Cuboid DKDP (KDxH2–xPO4) Crystal." Cryst. Growth Des. 19(2019);
3. Duanyang Chen, et al, "Effect of thermal annealing on a cuboid DKDP crystal." J. Alloy. Comp. 817(2019);
4. Duanyang Chen, et al, " Rapid growth of a long-seed KDP crystal." High Power Laser Sci. 8(2020).
聯系方式：
Email：chenduanyang@siom.ac.cn |
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